Qualcomm Snapdragon 835: Im 10NM-Verfahren & mit QuickCharge 4

Das Rad bei den Prozessoren dreht sich natürlich immer weiter und der heißeste Sch*** von heute (eg. Snapdragon 821) mag in einem halben- bis dreiviertel Jahr schon nicht mehr gut genug sein. Um seine Spitzenposition am Markt zu verteidigen, hat Qualcomm natürlich schon die nächste SoC-Generation im Gepäck und eines davon wird der Snapdragon 835 werden. Den hat das Unternehmen im aktuellen 10-Nanometer-FinFET-Verfahren von Samsung produzieren lassen. Was muss der Nicht-Elektroniker darüber wissen? Über ein Viertel mehr Leistung, bzw. 40& weniger Energieverbrauch bei gleicher Auslastung wie dem bisherigen Herstellungsweg. Qualcomm gibt uns noch mit auf dem Weg, dass 10NM so groß ist, wie ein einzelnes Wassermolekül. Das schafft natürlich grundsätzlich auch Platz für mehr Technik auf dem selben Raum wie bisher. Nur weil man Samsungs neues Fertigungsverfahren nimmt, heißt das natürlich nicht, dass wir den SD835 ausschließlich in Samsung-Geräten sehen werden, ich könnte mir aber vorstellen, dass man sich immerhin einen Deal gesichert hat, bei dem das Galaxy S8 als erstes Smartphone mit dem neuen System on a Chip auf den Markt kommt. Einen Zeitrahmen bis zum Marktstart gibt es von Qualcomm aber heute noch nicht.

Dafür hat man aber QuickCharge 4 gleich noch mit offiziell gemacht. Das Prinzip lautet hier “5 für 5”, also fünf Minuten laden für sage und schreibe fünf Stunden Akkulaufzeit. Nach einer Viertelstunde soll ein moderner Akku im Durchschnitt bei 50% Ladung angelangt sein. Damit ist man natürlich wieder ein ganzes Stück schneller, als beim Vorgänger (rund 20%), verspricht aber gleichzeitig weniger Wärmeentwicklung, was den ganzen Prozess natürlich auch effizienter macht. Außerdem baut Qualcomm den neuen Standard auch gemäß der USB Power Delivery-Vorgaben und erfüllt damit Googles Wunsch nach einer Vereinheitlichung von Schnelladetechnologien.


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(im Forum "Allgemeines zu Google")

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Quellen:
Qualcomm (2)