Snapdragon 830: Soll mit Quick Charge 4.0 das Thema Schnellladen auf eine ganz neue Stufe heben

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don_giovanni

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Als am Freitag hier bei mir in Köln bereits landunter war (am 11.11. im frühen Abend Einkaufen zu gehen ist kein großer Spaß) ging eine interessante Meldung durch die Blogosphäre, die ich euch gerne am heutigen Montag nachtragen möchte: Der aktuelle Qualcomm Snapdragon 820 verfügt bekanntermaßen über Qualcomms Quick Charge 3.0, doch der Qualcomm Snapdragon 830 soll dagegen im kommenden Jahr mit Quick Charge 4.0 alles noch einmal sehr viel besser machen. Und vor allem sehr viel schneller. Die US-Kollegen von Android Authority zitieren anonyme Quellen, nach denen der Nachfolger von Quick Charge 3.0 über eine Ladeleistung von bis zu 28 Watt verfügen soll und damit die bisher (bei weitem) stärkste Ladetechnologie von Qualcomm wäre. Bei Version 3.0 kommen bislang "nur" 18 Watt zum Einsatz, bei Oppos VOOC sind es hingegen 20 Watt und Huaweis Super Charge kann bis zu 22,5 Watt aufbieten.

Stimmen die Gerüchte, könnte Qualcomm demnach bald die Marktführerschaft bei den stärksten Schnellladefunktionen übernehmen. Es gilt nach aktuellem Stand als so gut wie sicher, dass der Snapdragon 830 sein Debut im Samsung Galaxy S8 feiern wird und dieses Smartphone damit zu einem der interessantesten Smartphones des Jahres 2017 machen dürfte. Angeblich hat Qualcomm mit Quick Charge 4.0 eine Möglichkeit gefunden, auch bei extrem hoher Ladeenergie eine Überhitzung des Smartphone-Akkus zu verhindern. Es steht zu hoffen, dass man sich dabei wirklich sicher ist - denn wenn Samsung noch einmal Smartphones mit unsicheren Akkus ausliefert, dürfte man sich in absehbarer Zeit von einer Vielzahl seiner Kunden verabschieden können. Drücken wir Qualcomm (und auch Samsung) also mal lieber die Daumen.

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Pics: Pixabay.com

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(im Forum "Allgemeines zu Google")

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Quellen:
Vielen Dank an einhuman197 für den Hinweis auf diese News.
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